三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构
发布日期: 2023-08-19 01:43:47 来源: 云掌财经


(相关资料图)

据台湾电子时报,三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存,将沿用双层堆栈架构,超过300层。报道称,这将使三星的进度超过SK海力士,后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。

关键词:

相关文章

  • 三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构

  • 德约归期确定!两大巨头同台竞争“法网风向标”,「纳德决」来了

  • 定了!内马尔加盟利雅得新月,他终于找到自己的又一个舒适区

  • 全球首款磷酸铁锂超充电池在闽发布 开启新能源车超充时代

  • 理工导航董事长提议公司回购股份:将用于员工持股或股权激励计划

  • 内蒙古乌兰察布三卡车相撞死亡 内蒙古110国道多车相撞发生爆炸

  • 从87版《红楼梦》看古代传统文化和礼仪(2)

  • 个人雇佣个人签什么合同(个人雇佣合同范本)

  • 深圳58同城二手车(深圳58同城)

  • 利物浦上次签约日本球员为南野拓实,那个赛季红军英超夺冠

  • 长青科技8月17日龙虎榜数据

  • 代买车票收取好处费 一男子被拘留

  • 前7个月邮政行业寄递业务量同比增长12.8% 专家预计将继续保持增

  • 特斯拉中国ModelS/X再降价,最高优惠7万

  • 外汇USD兑AUD是直盘还是交叉盘

  • 河北省第三次全国土壤普查试点成果顺利通过国家验收

  • 为数字经济发展把脉支招!16位院士齐聚汕头论“数”

  • 聪明可爱的小公主7岁生日独特礼物等你解锁

  • 【热点】德福科技总经理罗佳:和新能源汽车产业一起“加速”

  • 国内粮油交易行业发展现状如何? 2023年粮油交易行业发展现状分析

热点图集